作者 | 刘煜
编辑 | 陈骏达
芯东西6月25日报道，今日，美光科技公布截至2026年5月28日的2026财年第三季度财报。本财季，美光营收创下历史新高，同比暴涨345.7%至414.56亿美元（约合人民币2825.52亿元），超出市场预期，环比增长73.7%。
其净利润同样创下历史新高。按美国通用会计准则计算（GAAP），净利润同比大增1398.3%至282.43亿美元（约合人民币1924.96亿元），环比增长104.9%；按非美国通用会计准则计算（non-GAAP），净利润同比大涨1223.1%至288.57亿美元（约合人民币1966.81亿元），环比增长105.8%。
美光管理层在财报会议上释放了积极信号。美光董事长、总裁兼CEO Sanjay Mehrotra称：“本财季美光数据中心业务营收突破250亿美元（约合人民币1703.93亿元），折合年化运行收入超1000亿美元（约合人民币6816.7亿元）。”
他判断，2027全年行业存储产品供需依旧紧张，供需紧缺局面会延续至2027年之后。
为加速从现货周期模式转向多年度量价锁定的商业模式，并保障客户供货，美光推出全新战略客户协议（SCA）体系，已面向数据中心、消费电子、汽车三大市场签署16份协议。其中14份合约剩余周期可带来约1000亿美元营收，美光预计将收到合计220亿美元（约合人民币1499.45亿元）客户保证金及履约资金承诺（含约180亿美元现金保证金）。
这些协议周期内的出货量对应美光20%的DRAM和1/3的NAND闪存出货量，客户包含4家超大型、3家中型及多家汽车行业中小客户。Mehrotra称，待全部SCA落地后，美光过半营收将依托覆盖全终端市场的长期供货协议。
谈及具体产品，他透露：“HBM4 12层堆叠内存量产爬坡速度达到HBM3E的2倍，目前HBM4产品营收已突破10亿美元（约合人民币68.16亿元）。我们预计HBM4 12层良率成熟速度将大幅快于前代HBM3E 12层产品。”
Mehrotra预计，2026年全行业数据中心DRAM、NAND闪存bit出货量，较两年前实现翻倍以上增长。美光DRAM供给增速预计与行业整体供给增速基本持平，而美光NAND闪存供给增速将略低于行业平均水平。
他还说道：“人形机器人单机存储容量是普通L2+乘用车的10倍，预计本十年后半段，存储行业将开启长达数十年、规模持续庞大的机器人存储需求上行周期。”
展望2026财年第四季度，美光预计营收约为490亿美元至510亿美元（约合人民币3339.69亿元至3476.01亿元）。GAAP毛利率约为86%，非GAAP毛利率同样在86%左右。
Murphy称，根据2026财年第四季度毛利率指引可知，后续相关产品涨价幅度将明显放缓。展望2027财年，美光计划扩大研发投入，预计全年运营费用同比增加约10亿美元。
截至今天凌晨美股收盘，美光股价下跌0.31%至1048.51美元/股（约合人民币7146.33元/股），其市值约为1.18万亿美元（约合人民币8.06万亿元），此前因该公司股价大涨，美光于美东时间2026年5月26日市值首破万亿美元。此次财报公布后，由于该公司业绩抢眼，其股价盘后回涨，一度增长15.4%。
▲美光股价图（图源：雅虎财经）
一、云存储事业部营收同比大增306.6%，各板块营业利润率均超74%本财季，美光共实现414.56亿美元的营收，具体构成如下图：
▲美光营收构成可视化图表（图源：App Economy Insights）
按业务板块划分，本财季美光云存储事业部营收约为137.69亿美元，远高于去年同期的33.86亿美元，同比暴涨306.6%，环比增长77.7%，营业利润率达到78%。其核心数据中心业务部门贡献了115.24亿美元的营收，刷新纪录，同比大涨653.2%，环比增长102.6%，营业利润率为83%。
Murphy说道：“本财季，DRAM内存营收达313亿美元，再创历史新高，同比增长343%，环比提升67%，占公司总营收76%。受行业供需紧缺、高端产品结构占比提升双重利好驱动，该产品均价涨幅约60%出头。”
他还透露：“本财季NAND闪存营收为99亿美元，同样刷新历史纪录，同比增长361%，环比上涨99%，占总营收的24%。受闪存供给紧张、高附加值产品占比提升带动，该产品均价涨幅达到80%中段区间。”
再看其移动与客户端事业部板块，本财季创下了115.21亿美元的营收，表现同样亮眼，同比暴增253.9%，环比增长49.4%，营业利润率高达86%。汽车及嵌入式事业部则贡献了46.34亿美元的营收，同比增长311.2%，环比增长71.1%，营业利润率则为75%。
▲美光2026年Q3财季营收细分（图源：美光财报）
本财季，美光采用1-beta DRAM技术打造的HBM4，已面向其头部客户平台实现大批量出货，合格样品也已交付至多家终端客户。同时，该公司基于1-gamma DRAM工艺研发的HBM4E进展顺利，预计将于2027年实现量产。
此外，美光旗下LP5X SOCAMM2产品现已大批量投产，该公司也针对该产品线扩充了多种容量规格。其基于G9闪存架构的PCIe 6.0高性能固态硬盘已进入大规模量产阶段，高容量245TB QLC固态硬盘也已启动出货。
Murphy称，本财季美光综合毛利率为84.9%，较去年同期实现翻倍，创下美光历史最高水平，环比增长了10个百分点。美光毛利率提升的核心驱动力是产品售价上涨，同时，运营效率改善与产品结构向高毛利倾斜也贡献了部分增量。
本财季，美光GAAP与非GAAP毛利均同比大增，分别为350.56亿美元与351.99亿美元，同比分别增长了899.3%和871.5%。环比来看，GAAP与非GAAP毛利基本持平，分别为177.55亿美元及178.76亿美元。
Murphy预计，美光2026财年第四季度资本开支约为100亿美元，2026财年全年资本总投入约270亿美元。
该财季，美光净资本开支约为71亿美元，调整后自由现金流达183亿美元，刷新该公司单季自由现金流历史纪录。本财季末美光合计现金、长短期限有价证券、受限现金、未动用循环信贷额度为322亿美元。
从2023财年到本财季，美光合计向股东返还34亿美元现金。同时，美光董事会宣布了该季度现金股息方案，每股将派发0.15美元，股权登记日为2026年7月6日美股收盘，股息将于2026年7月21日以现金形式发放给在册股东。
▲美光现金流量、股东分红图（图源：美光）
二、均衡布局HBM与通用DRAM，美、台、新多基地同步落地量产计划财报电话会议上，Mehrotra称，AI硬件的性能与架构高度依赖内存带宽和容量，这催生了更复杂的内存架构，也让内存升级为AI产业中的战略核心资产，为美光带来前所未有的差异化机遇。
对于这一强劲的市场需求，Mehrotra说道：“存储行业的供给增长高度依赖全新自建晶圆厂扩产项目。即便我们预期2028年行业供给会逐步扩容，目前仍无法预判内存供给何时能够追上持续增长的市场需求。”
不过，PC、智能手机行业整机出货量虽有所下滑，但营收有望保持增长，核心逻辑是高端高价终端设备对存储芯片的需求韧性充足。
现阶段，美光正全力提升旗下晶圆厂产能利用率，包括协同设备供应商加速光刻机采购、厂内设备装机与产能爬坡，同步推进设备更换、升级以提升生产效率。
Mehrotra说道：“近期，我们与ASML签署多年极紫外光刻机（EUV）供货协议，支撑公司在1-delta制程及后续新一代工艺中扩大EUV设备部署规模。”
目前，该公司全球制造基地扩建工作进展顺利，这将持续提升其长期存储供给能力。
美光扩产项目包含美国爱达荷州ID1、ID2两座DRAM工厂，这两座工厂均在稳步施工中。其中，ID1工厂计划于2027年年中实现首批晶圆下线，ID2工厂则预计2028自然年末投产。同时，美国纽约首个晶圆厂集群已于今年1月正式破土动工。
Mehrotra谈道：“美国弗吉尼亚州马纳萨斯工厂近期启动1-alpha制程DDR4芯片量产，公司新收购的中国台湾厂区，现有30万平方英尺晶圆厂房预计2027年年中实现可观规模出货，投产时间较此前预期提前约1/4。”
他补充称，美光已在中国台湾厂区启动第二座洁净室的建设工程，其面积与中国台湾第一座厂区相同，该洁净室将适配EUV光刻机。而依托中国台湾厂区现有的先进封装产线，新加坡厂区将打造第二处先进封装中心。他预计该封装基地自2027年上半年起，将为美光HBM封装产能带来显著增量。
谈及HBM市场份额，Murphy说道：“我们的战略目标是与公司整体DRAM市场份额基本持平。这一战略选择核心源于HBM晶圆消耗比例极高，会分流行业通用DRAM产能、挤压非HBM产品供给。”
他称，即便未来产品涨价节奏放缓，美光通过将产能持续投向数据中心和边缘端高性能存储产品，并借助战略长期协议保障出货量稳定，仍能有效对冲价格涨幅放缓的影响。
结语：单季度业绩强势冲高，美光持续卡位存储赛道本财季美光营收、利润、现金流等核心财务指标全面创下历史新高，AI算力需求带动数据中心存储业务实现跨越式增长，同时消费、车载、工业乃至人形机器人等多元终端市场也打开长期需求空间。
面对行业长期供需偏紧的格局，美光一方面通过签署批量战略客户长协锁定稳定订单与盈利底线，另一方面同步推进全球多地晶圆厂、先进封装产线扩产与EUV设备布局，兼顾短期供货保障与长期产能储备。
综合来看，AI驱动的存储行业红利仍处于早期阶段，而存储供需失衡、产能建设周期长、下游应用多点开花等行业特征，也将持续影响存储厂商的业绩节奏与中长期发展规划。
来源：美光财报、美光财报电话会议
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